Intel et Micron ont annoncé avoir entamé la production de mémoires NAND flash en 34 nm, une finesse jusqu'alors inconnue. Avantage, le processus permet de fabriquer des mémoires de 32 Gigabits par couche, rendant possible d'atteindre 32 Go sur une seule mémoire 8 couches. Intel espère même parvenir à 64 Go de capacité.
Toshiba proposera, prochainement, la même chose mais en utilisant un processus de fabrication moins fin : 45 nm. Là aussi, les mémoires devraient être disponibles en 32 Go.
