Samsung lance la mémoire flash verticale pour gonfler nos SSD
Par Didier Pulicani - Publié le
Bonne nouvelle pour nous, pauvres consommateurs qui n'avons pas toujours le budget pour se payer un gros SSD : la mémoire flash devrait grandement évoluer ces prochains mois.
Samsung vient en effet de dévoiler une puce d'un nouveau genre :
Cette petite pièce de silicium n'a l'air de rien, et pourtant, elle devrait envahir nos téléphones et autres barrettes de SSD ces prochains mois. Le coréen vient officiellement de lancer la production de V-NAND (V pour Vertical) après plus de 10 ans de recherche sur cette technologies.
Jusque là, les fondeurs avaient plutôt tendance à optimiser l'espace 2D, soit en revoyant leur architecture, soit en abaissant la finesse de gravure. Mais Samsung a estimé que ces techniques arrivaient à leurs limites, et que rajouter une troisième dimension permettrait d'obtenir de meilleurs résultats. Les cellules (ici, de 16Go) pourront ainsi être facilement
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Samsung vient en effet de dévoiler une puce d'un nouveau genre :
Cette petite pièce de silicium n'a l'air de rien, et pourtant, elle devrait envahir nos téléphones et autres barrettes de SSD ces prochains mois. Le coréen vient officiellement de lancer la production de V-NAND (V pour Vertical) après plus de 10 ans de recherche sur cette technologies.
Jusque là, les fondeurs avaient plutôt tendance à optimiser l'espace 2D, soit en revoyant leur architecture, soit en abaissant la finesse de gravure. Mais Samsung a estimé que ces techniques arrivaient à leurs limites, et que rajouter une troisième dimension permettrait d'obtenir de meilleurs résultats. Les cellules (ici, de 16Go) pourront ainsi être facilement
empilées, ce qui devrait permettre d'augmenter plus rapidement les capacités. Samsung estime également que ces puces seront entre 2 et 10 fois plus fiables que la mémoire NAND actuelle.
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