L'industrie des semi-conducteurs a longtemps cru qu'au delà de 5nm, il serait compliqué, voire impossible d'obtenir des transistors fonctionnels.
C'était sans compter sur l'université de Berkeley, qui a réussi à descendre autour du nanomètre. Leur technologie repose en réalité sur une structure bien connue, les nanotubes de carbone, que l'on connait aussi sous le nom de graphène. Ce matériau n'a été isolé qu'en 2004 et il est aujourd'hui encore très coûteux (et complexe) à produire, et reste pour le moment cantonné au domaine expérimental.
Ali Javey, Jeff Bokor, Chenming Hu, Moon Kim et H.S. Philip Wong ont donc réussi à graver un transistor muni d'une porte de 1nm, une vraie prouesse lorsqu'on sait que les modèles actuels mesurent environ 20nm. Mais pour y parvenir, ils ont utilisé du Disulfure de molybdène (MoS2) capable de canaliser le flux d'électron, un vrai challenge à ce niveau de finesse.
Alors évidemment, on est encore loin de la production industrielle, d'autant que certains avaient déjà réussi des exploits approchants (déjà en 2008), mais ces techniques pourraient déboucher, à terme, sur des puces toujours plus puissantes, redonnant un peu de vigueur à une loi de Moore qui battait de l'aile ces dernières années.
