- Technologie V-NAND 4bit MLC - Capacité : 1 To - Lecture séquentielle : jusqu'à 550 Mo/s - Écriture séquentielle : jusqu'à 520 Mo/s
A noter que la technologie Intelligent TurboWrite accélère encore la vitesse et permet de maintenir des performances élevées sur le long terme avec plus de mémoire tampon variable. On retiendra aussi que le disque utilise la technologie V-NAND de Samsung et soutenue par une garantie limitée de 3 ans ou de 1 440 TBW maximum.
