La firme coréenne annonce avoir terminé la validation de la première puce de 8 Go de DRAM LPDDR5 en 10 nanomètres. Samsung évoque des débits culminants à 6,4 Gbps/pin, soit 1,5 fois plus rapides qu'avec la LPDDR4X utilisée dans de nombreux smartphones haut de gamme, dont l'
iPhone X de
Cupertino. La puce pourrait de plus être 30 % plus économe en énergie, en partie grâce à un mode veille remanié. Ce type de mémoire pourrait se retrouver dans les
iPhone à venir, permettant des performances en hausses, tout en augmentant l'autonomie. Les spécifications de la norme LPDDR5 n'ayant pas encore été officiellement approuvées, les puces pourraient arriver tardivement sur le marché, toutefois, Samsung affirme débuter rapidement sa production en masse. [
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