Une NAND 64 Gb 10 fois plus rapide chez Samsung

Par Arnaud Morel - Publié le 12 mai 2011 à 08h44 - Brève

Le Coréen Samsung dévoile ses modules de mémoire MLC NAND Flash 64 Gb utilisant une interface DDR (Double Data Rate) 2.0. Ces puces mémoires, gravées en 20 nm, offrent, selon le fabriquant, des débits 10 fois supérieurs aux SDR NAND flash largement utilisées dans nos smartphones : 400 Mbps ! [Source]

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